الکترونیک

ساخت یک افزاره آرسنید ایندیومی با رشد اپیتاکسی InAs و حکاکی آن به‌شکل آرایه‌های نانوروبانی که در ادامه بر روی زیرلایه‌ی سیلیکونی یا سیلیکایی قرار داده می‌شود.

جاوی می‌گوید: "ما نشان دادیم که چیزی که آنرا "XOI"، یا فناوری نیمه‌رسانای مرکب- روی- نارسانا، می‌نامیم به صورت موازی با "SOI"، یا سیلیکون- روی- نارسانا، قرار دارد. ما با استفاده از یک روش انتقال اپیتاکسی، لایه‌های بسیار نازکی از تک‌بلور آرسنید ایندیوم را به زیرلایه سیلیکونی یا سیلیکایی منتقل کردیم و سپس با استفاده از روش‌های فرآوری متداول افزاره‌ها را ساختیم، تا بتوانیم خواص مواد و افزاره XOI را مشخص کنیم."

برای ساخت سکوهای XOI، جاوی و همکارانش لایه‌های نازکی (با ضخامت 10 تا 100 نانومتر) از آرسنید ایندیوم تک‌بلوری را روی یک زیرلایه اولیه رشد دادند و سپس با روش لیتوگرافی، این لایه‌های نازک را به شکل آرایه‌های منظمی از نانوروبان‌ها الگو‌دهی کردند. این آرایه‌های نانوروبان بعد از اینکه با روش قلمزنی- خیسِ زیرلایه اولیه، از روی آن برداشته شدند، از طریق یک فرآیند پرسکاری (stampin g به زیرلایه سیلیکونی یا سیلیکایی منتقل گردیدند.

جاوی خواص الکترونیکی فوق‌العاده ترانزیستور XOI را به ابعاد کوچک لایه "X" و نقش کلیدی حبس کوانتومی، که بمنظور تنظیم ساختار باندی ماده و خواص ترابردی آن استفاده می‌شود، نسبت می‌دهد. اگرچه او و همکارانش فقط از آرسنید ایندیوم به عنوان نیمه‌رسانای مرکب استفاده کردند ولی این فناوری باید برای سایر نیمه‌رساناهای مرکب III/V نیز قابل اجرا باشد.

این پژوهشگران نتایج کار خود را در مجله‌ی Nature منتشر کرده‌اند.