توليد حافظه جديد با استفاده از نانوسيمها
بنوت شارلوت يکي از اعضاي اين گروه پژوهشي در LIMMS (يک
آزمايشگاه تحقيقاتي مشترک بين فرانسه و دانشگاه توکيو) ميگويد:
«ميتوانيم با اعمال يک اختلاف پتانسيل بين اين نانوسيم و يکي از
الکترودهاي کناري آن، اين ابزار را سوئيچ کنيم. در اين حالت نانوسيم بسته
شده، از يک وضعيت به وضعيت دوم که پايدار است، تغيير يافته و در آنجا
ميماند».
در تئوري اين ابزار ميتواند بدون مصرف هرگونه انرژي يک
بيت اطلاعات را در خود ذخيره کند، اما نمونهاي که ساخته شده است، براي
سوئيچ کردن نياز به اختلاف پتانسيل بالايي دارد.
شارلوت مي گويد:
«کاربرد اصلي اين وسيله در ابزارهاي ذخيرهسازي غيرفرار است. از آنجايي که
احتمالاً اين ابزار در مقابل تشعشع مقاوم است، در نتيجه کانديداي مناسبي
براي استفاده در فضا و کاربردهاي امنيتي است».
او ميافزايد ميتوان از اين وسيله جديد به جاي SRAMهايي همانند حافظه فلش استفاده کرد.
تصویر SEM
a) چهار الکترود b) ساختار کلی
اين ابزار که به راحتي با استفاده از ليتوگرافي
الکتروني و روشهاي حکاکي قابل ساخت است، ميتواند با حافظههاي
نانولولهاي (همانند نمونه ساخته شده توسط شرکت Nanetro) رقابت کند. اساس
کار اين دو يکي است، اما در اينجا نانوسيم که مي تواند تا چند ميکرون طول
داشته باشد، جايگزين نانولوله ميشود. با اين حال يکي از مزاياي اين نمونه
جديد اين است که ساختن آن راحتتر است.
اين گروه پژوهشي که رهبري آن
را توشيوشي از دانشگاه توکيو بر عهده دارد، در حال برنامهريزي براي توسعه
فرايند ساخت خود ميباشد. تمرکز اصلي آنها روي پوشش کناري فلزي است تا
ولتاژ مورد نياز براي سوئيچ کردن نانوسيم را کاهش دهند. شارلوت ميافزايد:
«مشکل اصلي ديگر، مطالعه رفتار حرکتي سيم است (فعال کردن سيم با يک سيگنال
متناوب نزديک به فرکانس طبيعي آن)».
نتايج اين تحقيق در J. Micromech. Microeng. متشر شده است.